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使用GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si片上蒸鍍Cu，探索設(shè)備蒸鍍膜厚最大及最小值。

實(shí)驗(yàn)過程：

圖1設(shè)備                        圖2蒸發(fā)料

原料：銅段（蒸發(fā)料，銅導(dǎo)線內(nèi)芯），Si基底（酒精超聲清洗30min，后使用去離子水超聲清洗30min，真空烘箱70℃烘干）。使用分子泵抽真空，待真空度到達(dá)10⁰時(shí)，利用氮?dú)鈱?duì)腔室進(jìn)行洗氣三至四次。洗氣結(jié)束，待分子泵抽真空至10^-4Torr，開始給爐子加熱，升溫曲線0.6℃/s，升溫至相應(yīng)溫度，玻璃罩出現(xiàn)金屬色后打開擋板蒸鍍。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下：

結(jié)論：

1、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu，最薄（膜厚儀可檢測(cè)）可蒸鍍至14.8nm

2、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu，最厚（起皮前）可蒸鍍至37.72μm

特別聲明：

1. 以上所有實(shí)驗(yàn)僅為初步探究，僅供參考。由于我們水平有限，錯(cuò)誤疏漏之處歡迎指出，我們非常期待您的建議。

2. 歡迎您提出其他實(shí)驗(yàn)思路，我們來驗(yàn)證。

3. 以上實(shí)驗(yàn)案例及數(shù)據(jù)只針對(duì)科晶設(shè)備，不具有普遍性。

4. 因?yàn)樯婕氨Ｃ軉栴}，以上數(shù)據(jù)僅為部分?jǐn)?shù)據(jù)，歡迎老師與我們聯(lián)系，我們非常期待和您共同探討設(shè)備的應(yīng)用技術(shù)。