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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測設(shè)備其他實驗室設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
破碎/球磨設(shè)備
壓片設(shè)備
輥壓設(shè)備
切割設(shè)備
磨拋設(shè)備
清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實驗室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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大型SS316不銹鋼加熱平臺

關(guān)鍵字：: 加熱平臺、真空吸附孔
型號：: HP-5040-SS
產(chǎn)品概述：: HP-5040-SS是一款大面積的加熱平臺，加熱區(qū)域500mm×400mm，最高溫度可達(dá)200℃。加熱平板采用316不銹鋼制作，平板上有真空吸附孔，并且設(shè)備中配有無油真空泵。

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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情

設(shè)備名稱與型號	大型SS316不銹鋼加熱平臺 HP-5040-SS
最高溫度&電源要求	·最高工作溫度：200℃ ·輸入電壓：220VAC 50/60Hz 單相 ·功率：3000W
加熱平臺	·加熱/真空吸附區(qū)域：500L×400W mm ·加熱平臺材質(zhì)：316不銹鋼 ·真空吸附孔：加熱平臺上加工有真空吸附孔，每個孔的直徑0.5mm,用于采用真空吸附的方式固定樣品 ·加熱平臺平整度：±10um
溫控系統(tǒng)	·PID控制方式和溫度自整定功能 ·最高工作溫度：200℃ ·控溫精度：±1℃
真空泵	·設(shè)備中包含一個無油真空泵 ·8mm直徑的真空連接口，用于通過管道連接加熱平臺
設(shè)備尺寸	740 mm (L) ×500 mm (W) × 300 mm (H) 290 mm (L) ×210 mm (W) × 213 mm
凈重	50kg
質(zhì)保	一年質(zhì)保期，終生維護(hù)

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