- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
氧化碲晶體基片
- 型號：
- TeO2
- 產(chǎn)品概述：
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | Tetragonal | 晶格常數(shù)： | a=4.81 c=7.613 | 熔點oC： | 730 | 密度 g/cm3： | 5.99 | 硬度 (Moh)： | 4.5 | Birefr-ingence D=he-ho： | - 0.118 | Refractive index h at l= 0.63m： | ho=2.260 he=2.142 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： 常規(guī)尺寸：5x5x0.5mm、10x10x0.5mm； 拋光情況：細(xì)磨、單拋、雙拋； 注：可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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