- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
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| 技術(shù)參數(shù)
|
晶向 | 立方晶系 | 晶格常數(shù) | a=12.376? (Z=8) | 相對分子質(zhì)量 | 1012.365 | 熔點 | 1800℃ | 密度 | 7.09g/cm3 | 硬度 | ~8 (Mohs) | 折射率 | 1.95 | 純度 | 99.99% | 生長方法 | CZ |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： 常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm、dia1″x0.5mm； 拋光情況：單拋、雙拋; 表面粗糙度Ra:<5A 注：可按照客戶要求加工尺寸和晶向 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋包裝 |
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