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如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數
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單晶： | 砷化鎵(GaAs) | 摻雜: | None；Si；Cr；Te；Zn | 導電類型： | Si；N；Si；N；P | 載流子濃度cm-3： | /> 5x1017 /~2x1018 >5x1018 | 位錯密度cm-2: | <5x105 | 生長方法及最大尺寸: | LEC & HB ?3" |
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| 常規尺寸
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常規晶向：<100>、 常規尺寸：10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm; 拋光情況：單拋或雙拋; 表面粗糙度Ra:<15A; 注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。 |
| 備注
|
1000級超凈室100級超凈袋 |
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皖公網安備 34012302000974號
