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Si-Ge晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 隨著微電子、光電器件以及放射性同位素熱電發(fā)電機的不斷發(fā)展，人們重新對SiGe單晶材料產(chǎn)生了濃厚的興趣。當SiGe外延層超過臨界厚度時，采用高質(zhì)量的SiGe單晶替代Ｓｉ單晶作為外延襯底材料，可以減少Ｓｉ襯底與Ｓｉ1-ｘGeｘ合金層之間過渡層的數(shù)目，避免或減少失配位錯，改善量子阱器件的性能。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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Si-Ge 晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=0.5431+0.02x+0.027x2? | 電阻： | 7-8 ohm-cm | 導電類型： | P型不摻雜 | 生長方法： | 直拉（ＣＺ）法生長 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | <100> | 常規(guī)尺寸： | 常規(guī)尺寸：dia4″x0.5mm； | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | < 5A |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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