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GaN晶體
- 產品概述：
- 氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體,由于具有化學穩定性好、熱傳導性能優良、擊穿電壓高、大功率，近年在光電子領域和高溫高頻電子應用備受關注，是目前最優秀的半導體材料。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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氮化鎵(GaN)晶體基片 |
| 技術參數
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晶體結構： | 六方晶系 | | 晶格常數 | a= 3.186 ? , c = 5.186 ? | 傳導類型： | N型摻Si；N型不摻雜 | 可用表面積： | >90% | 位錯密度： | （5-9）x105Ω.cm | 電阻率： | R<0.05 Ω.cm；R<0.1Ω.cm | | 介電常數： | 8.9 | TTV： | ≤15um | | 密度 | 6.15（g/cm3） | 生長方法： | HVPE（氫化物氣相外延法） |
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| 產品規格
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常規晶向： | (0001) | 常規尺寸： |
10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm | 表面粗糙度： | <5? | 注：尺寸可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝 |
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