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?-Ga2O3單晶基片
- 產品概述：
- ?-Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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?-Ga2O3單晶基片 |
| 技術參數
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晶體結構： | 單斜晶系 | 晶格常數： | a=12.23A,b=3.04A, c=5.80A, ?=103.7° | 密度： | 5.95g/cm3 | 熔點： | 1725oC | 摻雜類型： | N型 | 電阻率： | R≤0.2Ω·cm | | 遷移率 | 300cm2/v·s | 禁帶寬： | 4.8-4.9V |
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| 產品規格
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常規晶向： | (100) | 常規尺寸： | 10x10x0.7-0.8mm. | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 表面粗糙度： | <15A | 注：尺寸可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋真空包裝 |
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