- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
CsI(TI)晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率，由于它的能度和強(qiáng)度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測(cè)設(shè)備中，比如機(jī)場(chǎng)，火車站，自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶，購買前請(qǐng)與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
CsI(TI)晶體基片
|
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | 晶格常數(shù)： | a =4.566 ? | 密度： | 4.53 g/cm3 | 硬度： | 2 ( mohs) | 熔點(diǎn)： | 621 ℃ | 吸水性： | 輕微 | 折射率： | 1.78 | 發(fā)射波長(zhǎng)(nm)： | 550 | 輻射長(zhǎng)度： | 1.86cm |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | 無 | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm、10x10x1.0mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | Ra<15A |
|
| 晶體缺陷
|
人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
|
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶，購買前請(qǐng)與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號(hào)
查看誠信檔案
