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CdZnTe晶體
- 產品概述：
- CdZnTe晶體是一種閃爍礦結構的連續固溶體，改變Zn的組分，其晶格常數在0.6100 -0.6482urn之間連續可調，與HgCdTe外延膜的晶格匹配性好。有良好的導電性能；較高的吸收系數；溫和的熱膨脹性；
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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Cd1-xZnxTe晶體基片
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| 技術參數
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晶體結構： | 立方晶系 | 晶格常數： | a = 6.483 – 6.446? | 密度： | 5.605g/cm3 | 熔點： | 1975℃ | 熱導率： | 30W /m.k at 300K | 熱膨脹系數： | 6.5 // a 3.7 // c 10-6/K | 透過波長： | 0.4 ~ 0.6μm |
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| 產品規格
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常規晶向： | （111） | 型號： | P型 其中Zn占14% | 電阻率： | 電阻率：1*10(6) | 常規尺寸： | 10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | <15A |
注：可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內部缺陷。
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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