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AlN晶體
- 產(chǎn)品概述：
- AlN單晶襯底是一種具有特殊性能的寬禁帶半導體材料
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技術參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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AlN晶體 |
| 技術參數(shù)
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晶體結(jié)構： | 六方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=3.112?； C=4.982? | 密度： | 3.23g/cm3 | 熱導率： | 285W/mk | 可用區(qū)域： | > 80％ | EPD： | <1E5 cm-2 | 吸收系數(shù)： | <80 cm-1 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | C平面（0001 | 晶向公差： | ±1° | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.45mm±50μm、5x5x0.45mm±50μm | 拋光情況： | 雙拋 | 拋光面粗糙度： | Al面：CMP拋光（RMS<0.8nm） N面：光學拋光（RMS <3nm） |
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| 搖擺曲線圖
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