美國橡樹嶺國家實驗室（來源：維科網?新材料）
發布時間：2020-07-30
近日，美國橡樹嶺國家實驗室（Oak Ridge National Laboratory）的Ivan V. Vlassiouk博士聯合萊斯大學（Rice University）Boris I. Yakobson博士和新墨西哥州立大學（New Mexico State University）的Sergei N. Smirnov博士在Nature Materials 上發表文章，報道了他們在多晶襯底上生長“英尺級”連續單晶單層石墨烯薄膜的重大突破。他們采用一種化學氣相沉積（CVD）技術，借鑒單晶生產常見的提拉法（Czochralski process）的思路，基于“進化選擇（evolutionary selection）”生長法在多晶襯底上以2.5厘米/小時的速度生長大尺寸連續單晶單層石墨烯薄膜。其中一個實驗所制備的石墨烯薄膜，長度可達1英尺（約30厘米）。
在下圖實驗室中看到了科晶設備的身影：
Ivan Vlassiouk博士。圖片來源：ORNL
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科晶公司擁有用于大面積、高質量石墨烯及其他二維材料的規模化生長的卷對卷石墨烯制備管式爐系統：
設備型號：OTF-1200X-II-PE-RR
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